Solid SiC
Silisyòm Carbide Media Deskripsyon
Silisyòm carbure se yon twazyèm jenerasyon materyèl semi-conducteurs. Konpare ak materyèl Silisyòm òdinè, carbure Silisyòm gen avantaj trè eksepsyonèl. Li pa sèlman simonte kèk nan enpèfeksyon yo nan materyèl Silisyòm òdinè, men tou, gen trè bon pèfòmans nan konsomasyon pouvwa.
Silisyòm carbure (SiC), nitrure galyòm (GaN), nitrure aliminyòm (ALN), oksid galyòm (Ga2O3), elatriye, yo kolektivman rele materyèl semi-conducteurs bandgap lajè paske lajè bandgap la pi gran pase 2.2eV, epi yo rele tou twazyèm lan. jenerasyon nan Lachin. Materyèl semi-conducteurs.
Si w enterese pwodwi nou yo, kontakte nou kounye a! Nou ka Customize pwodwi nou yo selon kondisyon kliyan!
Koryas Silisyòm CarbideSpesifikasyon
Lachin Coarse Silisyòm Carbide manifaktirè --ZhenAn Group
|
Gwosè
|
SiC pi gran pase oswa egal a (%)
|
Fe2O3 mwens pase oswa egal a (%)
|
FC Mwens pase oswa egal a (%)
|
Dansite esansyèl (/cm³)
|
Kontni mayetik mwens pase oswa egal a (%)
|
|
F8-F90
|
99
|
0.2
|
0.2
|
1.35-1.51g
|
0.01
|
|
F100-F180
|
98.5
|
0.5
|
0.25
|
1.38-1.50
|
0.01
|
|
F220-F240
|
98
|
0.7
|
0.25
|
1.32-1.42
|
0.01
|
|
0-1{{1{1}/3-5{{3{3}mm
|
99
|
0.2
|
0.2
|
-
|
Silisyòm Carbide 80 Grit manifakti-ZhenAn Entènasyonal
80 grit Silisyòm carbure distribitè-ZhenAn entènasyonal
Avantaj pèfòmans elektrik nan aparèy pouvwa carbure Silisyòm:
1. Rezistans vòltaj anwo nan syèl la: la pann kritik jaden elektrik se byen wo tankou 2MV/cm (4H-SiC), kidonk li gen pi wo rezistans vòltaj (10 fwa sa a nan Si).
2. Fasil dissipation chalè: Akòz konduktiviti tèmik segondè nan materyèl SiC (twa fwa sa ki nan Si), dissipation chalè se pi fasil ak aparèy la ka opere nan pi wo tanperati anbyen. Teyorikman, aparèy pouvwa SiC ka opere nan yon tanperati junction nan 175 degre, kidonk gwosè koule chalè a ka siyifikativman redwi.
3. Pèt kondiksyon ki ba ak pèt chanje: materyèl SiC gen de fwa vitès saturation elèktron Si, fè aparèy SiC gen rezistans kondiksyon ki ba anpil (1/100 pase Si) ak pèt kondiksyon ki ba; Materyèl SiC gen 3 fwa nan Akòz lajè bandgap nan Si, aktyèl la flit se plizyè lòd nan grandè pi piti pase sa yo ki nan aparèy Si, ki ka diminye pèt pouvwa a nan aparèy pouvwa; pa gen okenn fenomèn tailing aktyèl pandan pwosesis la vire-off, ak pèt la chanje se ba, sa ki ka anpil ogmante frekans nan chanje nan aplikasyon pratik. (10 fwa sa a nan Si).
4. Ka gwosè a nan modil pouvwa a ap redwi: Akòz dansite aktyèl la segondè nan aparèy la (pa egzanp, pwodwi Infineon ka rive nan 700A / cm), nan menm nivo pouvwa a, gwosè a pake nan plen SiC pouvwa modil la ( SiC MOSFETsSiC SBD) siyifikativman pi piti pase modil pouvwa Si IGBT.
60 90 Grit Silicon Carbide Kliyan vizite foto yo
FAQ
K: Ki jan ou ka kontwole bon jan kalite ou a?
A: Pou chak pwosesis pwodiksyon, ZhenAn gen sistèm QC konplè pou konpozisyon chimik ak pwopriyete fizik. Apre pwodiksyon, tout machandiz yo pral teste, epi sètifika bon jan kalite a pral anbake ansanm ak machandiz yo.
K: Èske ou se yon manifakti oswa machann vann?
A: Tou de, nou pa sèlman ka bay bon jan kalite pwodwi yo ak pi bon pri a, men tou, nou ka ofri pi bon sèvis pre-sale ak apre-sèvis.
K: Èske ou bay echantiyon gratis nan Solid SiC?
A: Natirèlman, echantiyon gratis yo disponib.
K: Ki tan plon ou ye?
A: Anjeneral li bezwen apeprè 15- 20 jou apre li fin resevwa PO a.
Baj popilè: solid sic, Lachin solid sic manifaktirè, Swèd, faktori
Ou ka renmen tou
Voye rechèch